德巴魯夫微脈沖位移傳感器,進(jìn)口BALLUFF位移傳感器
德巴魯夫微脈沖位移傳感器元件將機(jī)械位移轉(zhuǎn)換成與之成線(xiàn)性或任意函數(shù)關(guān)系的電阻或電壓輸出。普通直線(xiàn)電位器和圓形電位器都可分別用作直線(xiàn)位移和角位移傳感器。但是，為實(shí)現(xiàn)測(cè)量位移目的而設(shè)計(jì)的電位器，要求在位移變化和電阻變化之間有一個(gè)確定關(guān)系。圖1中的電位器式位移傳感器的可動(dòng)電刷與被測(cè)物體相連。物體的位移引起電位器移動(dòng)端的電阻變化。阻值的變化量反映了位移的量值，阻值的增加還是減小則表明了位移的方向。通常在電位器上通以電源電壓，以把電阻變化轉(zhuǎn)換為電壓輸出。線(xiàn)繞式電位器由于其電刷移動(dòng)時(shí)電阻以匝電阻為階梯而變化，其輸出特性亦呈階梯形。如果這種位移傳感器在伺服系統(tǒng)中用作位移反饋元件，則過(guò)大的階躍電壓會(huì)引起系統(tǒng)振蕩。因此在電位器的制作中應(yīng)盡量減小每匝的電阻值。
德巴魯夫微脈沖位移傳感器它的測(cè)量原理是保持霍耳元件（見(jiàn)半導(dǎo)體磁敏元件）的激勵(lì)電流不變，并使其在一個(gè)梯度均勻的磁場(chǎng)中移動(dòng)，則所移動(dòng)的位移正比于輸出的霍耳電勢(shì)。磁場(chǎng)梯度越大，靈敏度越高；梯度變化越均勻,霍耳電勢(shì)與位移的關(guān)系越接近于線(xiàn)性。圖2中是三種產(chǎn)生梯度磁場(chǎng)的磁系統(tǒng)：a系統(tǒng)的線(xiàn)性范圍窄，位移Z=0時(shí)，霍耳電勢(shì)≠0；b系統(tǒng)當(dāng)Z<2毫米時(shí)具有良好的線(xiàn)性，Z=0時(shí),霍耳電勢(shì)=0；c系統(tǒng)的靈敏度高,測(cè)量范圍小于1毫米。圖中N、S分別表示正、負(fù)磁極?；舳轿灰苽鞲衅鞯膽T性小、頻響高、工作可靠、壽命長(zhǎng)，因此常用于將各種非電量轉(zhuǎn)換成位移后再進(jìn)行測(cè)量的場(chǎng)合。
：\39526590\39529839/39529830轉(zhuǎn)8005或者8002
//
\39529831\39529839\39529839-8007或者8008
/
公司；zuizang.cn
；單榮兵/余娟
BTL2-S-6216-8P-Ex  BTL2-S-6216-8P  BTL5-A11-M....-B-....
BTL5-A11-M....-B-DEX.-....  BTL5-A11-M....-B-DEX.-KA..  BTL5-A11-M....-K-....
BTL5-A11-M....-P-S32  BTL5-C1.-M....-B-....  BTL5-C1.-M....-B-DEX.-....
BTL5-C1.-M....-B-DEX.-KA..  BTL5-C1.-M....-K-....  BTL5-C1.-M....-P-S32
BTL5-E1.-M....-B-....  BTL5-E1.-M....-B-DEX.-....  BTL5-E1.-M....-B-DEX.-KA..
BTL5-E1.-M....-K-....  BTL5-E1.-M....-P-S32  BTL5-F-2814-1S
BTL5-F100-M....-B-S115  BTL5-G11-M....-B-....  BTL5-G11-M....-B-DEX.-....
BTL5-G11-M....-B-DEX.-KA..  BTL5-G11-M....-K-....  BTL5-G11-M....-P-S32
BTL5-H1..-M....-B-S92  BTL5-H1..-M....-P-S92  BTL5-I1-M....-B-....
BTL5-I1-M....-B-DEX.-....  BTL5-I1-M....-B-DEX.-KA..  BTL5-I1-M....-K-....
BTL5-I1-M....-P-S32  BTL5-M-2814-1S  BTL5-M1-M....-B-....
BTL5-M1-M....-P-S32  BTL5-N-2814-1S  BTL5-P-3800-2
德巴魯夫微脈沖位移傳感器,進(jìn)口BALLUFF位移傳感器